GVC736CE 3BHB045647R0003 双向可控硅

Description

ABB GVC736CE 3BHB045647R0003 IGCT可控硅模块是一种三相、6000伏、1500安培的IGCT模块。它由两个IGCT晶体管和一个集成电路驱动器组成。IGCT晶体管是一种具有快速开关特性的功率器件。集成电路驱动器用于控制IGCT晶体管的开关。

ABB GVC736CE 3BHB045647R0003 IGCT可控硅模块可用于各种电力转换和控制系统。它可用于变压器、电动机、电力系统和其他应用。

ABB GVC736CE 3BHB045647R0003 IGCT可控硅模块的特点包括：

• 高电压和电流承载能力
• 快速开关特性
• 高可靠性
• 低EMI

ABB GVC736CE 3BHB045647R0003 IGCT可控硅模块的规格包括：

• 电压：6000伏
• 电流：1500安培
• 开关频率：10 kHz
• 关断速度：200 ns
• 漏电流：250 μA
• 寄生电容：100 pF
• 导通损耗：1.5 W/A
• 关断损耗：2.5 W/A
• 总损耗：4 W/A
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• 双向可控硅介绍
  双向可控硅是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，是在普通可控硅的基础上发展而成的交流开关器件，其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意，发明于1957年。双向可控硅为单向导电性开关，能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路。可控硅具有导通和关断两种状态，从外形上区分主要有：螺栓形、平板形和平底形三类。

  由于双向可控硅特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T;又由于可控硅最初应用于可控整流方面，所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

  双向可控硅结构原理图
  双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。

  因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

  相比于单向可控硅，双向可控硅在原理上最大的区别就是能双向导通，不再有阳极阴极之分，取而代之以T1和T2，其结构示意图如下图2（a）所示，如果不考虑G级的不同，把它分割成图2（b）所示，可以看出相当于两个单向可控硅反向并联而成，如图2（c）所示连接

   

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